| 品牌：IXYS/艾赛斯 | 型号：MDD26-12N1B | 控制方式：单向 |
| 极数：二极 | 封装材料：塑料封装 | 货号：12034 |
| 封装外形：平板形 | 关断速度：高频(快速) | 散热功能：不带散热片 |
| 频率特性：变频 | 功率特性：大功率 | 额定正向平均电流：1A |
| 控制极触发电流：1mA | 最大稳定工作电流：1A | 反向重复峰值电压：1V |
| 是否跨境货源：否 |
苏州阜晶电子供应IXYS可控硅模块及 整流模块，
MDD26-16N1B全新原装IXYS二极管模块MDD26-12N1B
可控硅模块的保护电路，可以分为两种情况：一种是在适当的地方安装保护器件，例如，R—C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而抑制过电压或过电流的数值。
可控硅模块的过流保护
设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如可控硅损坏, 触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥可控硅损坏类较为严重,。
一般是由于可控硅因过电压而击穿,造成无正、反向阻断能力，它相当于整流桥臂发生***性短路，使在另外两桥臂晶闸管导通时，无法正常换流，因而产生线间短路引起过电流.另一类则是整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流，这类情况时有发生，因为整流桥的负载实质是逆变桥, 逆变电路换流失败，就相当于整流桥负载短路。另外，如整流变压器中心点接地，当逆变负载回路接触大地时，也会发生整流桥相对地短路。
三相整流模块二极管模块,并有其它品牌产品 如德国赛米控,英飞凌模块 三菱模块，IXYS模块 CTT西班牙 DACO大科，韩国xipos模块 俄罗斯模块及平板可控硅，湖北台基平板可控硅 晶闸管模块 精密电位器 及分立器件 单管等。欢迎客户致电联系客服。愿合作愉快。
